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作者/文森特
編輯/嘉嘉
“我做刻蝕做了四十年，從來沒有夢想到可以刻蝕到這種準確的程度”，日前，中微公司董事長、總經理尹志堯對外表示，中微半導體已經實現技術突破，氧化硅、氮化硅、多晶硅三種材料均可以實現0.02納米的準確度，“相當于每次加工一個原子。”
要知道，目前全球刻蝕機巨頭 LAM Research、TEL 等國外刻蝕機巨頭其量產能力還停留在5nm、3nm階段，雖然中微半導體的0.02nm只是在實驗室取得成功，距離量產還有技術難關，但這一成果不僅意味著中國半導體在刻蝕機領域取得技術領先優(yōu)勢，更是反映了在歐美的強力封鎖下，中國半導體產業(yè)正在順利崛起。
在這場“小人物”草根逆襲的故事中，既有國內企業(yè)出于供應鏈安全考慮，不得不采用國產半導體設備的時代推動，更有像尹志堯這樣的“英雄人物”的推動和帶領。
對于尹志堯來說，2004年是其人生最為重要的一年，已經六十歲高齡，在應用材料公司任職副總裁的他，受江上舟的竭力邀請，拿著拉來的5000萬啟動資金在上海成立中微半導體，希望能夠做出世界領先的刻蝕機。
作為全球刻蝕機的領軍人物，來中國大陸創(chuàng)業(yè)并非最優(yōu)選項，彼時半導體發(fā)展機會確實是在亞洲，但不是中國大陸，而是日韓和臺灣。
二十世紀初，日本是全球最大的芯片設備市場，韓國和臺灣是增長最快的半導體市場，而中國大陸半導體產業(yè)如同一塊灘涂荒漠。
數據顯示：2004年，全球半導體制造設備銷售達到370.8億美元，中國大陸半導體只有27億美元，占比7.3%。半導體行業(yè)稱，要做半導體，中國大陸除了水和空氣之外，其他東西都要從國外進口。
“我是一個中國人，在中國得到了很好的教育，也有十多年的生產和研發(fā)的工作經驗。去美國的時候已經36歲了，我總覺得缺些什么東西，對祖國的欠缺，應該給自己的國家做事情”，相比日韓高速發(fā)展且已經成熟的半導體產業(yè)環(huán)境，尹志堯更希望回國內創(chuàng)業(yè)。
理想很豐滿，情懷很美好，但這也意味著中微半導體沒有穩(wěn)固的客戶、沒有足夠的人才、沒有相關配套設施，有的只是上海市政府對半導體技術的政策支持，所有的東西都要從零起步。
尹志堯必須要在5000萬資金耗盡之前研發(fā)出刻蝕機成品，盡快商業(yè)量產，要為剛剛誕生的中微半導體提供后續(xù)的正向資金流。
對于這個60歲的老人來說，這不僅是個人理想照進現實的戰(zhàn)爭，也是中國半導體國產自主化浪潮中的前期戰(zhàn)役之一，即關乎個人夢想，同樣也關乎民族產業(yè)。
雖然基礎條件不足，但彼時上海已經將半導體作為城市未來發(fā)展的核心產業(yè)，并希望引進中芯國際、中微半導體等光刻機、刻蝕機等設備企業(yè)。
刻蝕技術與光刻技術、薄膜沉積技術一起被稱為芯片制造流程三大技術，對應的設備為光刻機、等離子體刻蝕機與薄膜機。
可以說光刻機是在硅片上畫出芯片形狀，而刻蝕機則是根據形狀進行雕刻，兩者占到半導體設備總成本的43%，一旦拿下光刻機和刻蝕機技術，中國就能吃下整個半導體產業(yè)，迎接信息時代的產業(yè)紅利。
“美國在將近40年時間里，開發(fā)出不下10種國際先進設備，而這些設備百分之七八十是中國留學生干起來的”，尹志堯認為與先天基礎不足相比，在中國做刻蝕機已經具備人才條件。
但局勢并非一帆風順，尤其是后發(fā)者想要進入市場，重新分配蛋糕時，往往會受到巨頭們的圍攻。
同2003年中芯國際遭到臺積電專利侵權起訴一樣，中微半導體研發(fā)成功可用于65～16納米制芯片制造的等離子體刻蝕機后，應用材料公司、泛林半導體相繼在2007年、2009年以專利侵權等名義對中微半導體起訴。
起訴時間點選擇很巧妙，之所以選擇研發(fā)結束、產品量產前，就是為了通過訴訟抓住侵權依據，讓中微半導體前期的研發(fā)投入付之東流，達到一劍封喉的效果。
但與中芯國際敗訴，向臺積電賠款2億美元不同，在歸國創(chuàng)業(yè)之初，尹志堯就意識到了專利糾紛，要求跟他回國的15名工程師不得帶任何文件，并將將現有的3000多項專利全部梳理，避開專利壁壘，重新研發(fā)新的刻蝕技術。
最后憑借手中的600萬份文件證明刻蝕機技術為自研，應用材料公司與中微半導體庭外和解，而對泛林，中微半導體成功實現訴訟逆轉，法院認定泛林半導體在專利上侵權中微半導體。
也正是尹志堯回國創(chuàng)業(yè)時的謹慎，通過法律訴訟掃平外部障礙后，中微半導體在研發(fā)、量產上走向了快車道。
“我并沒有看到技術上有越不過去的坎。所以還是那句話，要咬緊牙關，一步一步有耐心地把它往下做，就可以做好”，在尹志堯看來，專利不是阻礙中微半導體的攔路人，它可以被繞過去。
其實真正讓中微半導體和尹志堯迎來高光時刻的則是外部環(huán)境的變化。
從前雖然有政策鼓勵使用國產設備，但出于對國產設備的擔心，很多廠商更原因采用技術更為成熟的國外產品，數據顯示：LAM、TEL、AMAT三巨頭刻蝕機橫掃全球，長期占據全球九成以上的市場份額。
而隨著美國商務部對中國芯片半導體的打壓不斷增加砝碼，這就迫使中國科技企業(yè)、半導體企業(yè)放棄幻想，為了確保供應鏈安全，不得不使用國產設備。
國產半導體替代的浪潮，為中微半導體提供了發(fā)展的土壤。據天眼查數據顯示，2023年，中微半導體營收為62.64億，較2019年的19.47億，增長323%。更為重要的是，僅在2024年三季度，中微半導體就已經完成55.07億元的營收。
目前中微半導體已經處于一個有機良性循環(huán)中——半導體廠商采購中微設備，中微利潤增高，有更多的資金投入到研發(fā)中，形成正向增長循環(huán)。
這種正向循環(huán)的激勵作用，從中微半導體的技術迭代速度上就能看出來：
2018年，自主研制的5nm等離子體刻蝕機經臺積電驗證，性能優(yōu)良，將用于全球首條5nm制程生產線；2022年，中微半導體宣布研發(fā)出3nm刻蝕機；2024年，中微半導體完成3nm刻蝕機原型機的設計、制造、測試，并在臺積電3nm芯片生產線上應用；
隨著營收快速增長，中微半導體每隔一兩年就在技術進程上登上一個臺階，而在今年年初，中微半導體更是在實驗室環(huán)境中取得了0.02納米的準確度，領先其他國外刻蝕機企業(yè)。
“在中國已經有一家非美國的公司有能力供應足夠數量及同等質量的刻蝕機，繼續(xù)現在的國家安全出口管制已達不到其目的了”，2015年，因為中微半導體在刻蝕機上的突破，美國商務部解除了限制向中國出口刻蝕機的禁令。
這是中微半導體在刻蝕機上取得的成功，也是尹志堯帶給中國半導體產業(yè)的啟發(fā)，技術不是困難，耐心和堅持才是，光刻機等半導體技術的突破需要時間和整個國產生態(tài)的支持。
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